【技术开发单位】西安卫光科技有限公司
【技术简介】功率IGBT晶体管是新一代大功率半导体器件，其主要优点是开关迅速、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好。
由于开关迅速，在开关电源等变流装置中，可使电路在更高的频率下工作，因此可大大减小变压器的体积和重量。由于驱动功率小，使驱动电路大大简化，元器件数量减少，故障率降低；由于安全工作区宽、热稳定性好，因此使用中不易烧毁，可提高设备的可靠性。
功率IGBT晶体管一般用作开关电源或电机控制器的主开关器件。电源是任何电子装置中必不可少的组成部分。因此，新型功率IGBT晶体管是高新设备中非常重要的基础器件，对电源系统小型化、高性能化而言是必不可少的；对提高整机的性能具有十分重要的、普遍的意义。
迄今，我国民用功率IGBT晶体管依然主要依靠进口，批量生产的技术平台没有得到很好的建立。已经影响到电力电子行业，尤其是汽车电子、电力传动、动力电能转换设备的性能提升。因此，实现功率IGBT晶体管军转民的产业化，对打破国外技术垄断、实现自主创新，建立节约型社会、实现国民经济可持续发展等均具有十分重要的意义。
【主要技术指标】
WGG75GB060S
VCEO=600V,IC=75A,
WGG200GB060S VCEO=600V,IC=200A,
WGG400GB060S
VCEO=600V,IC=400A,
WGM75B120VCEO=1200V,IC=75A,
WGM400B120VCEO=1200V,IC=400A,
WGM200B120VCEO=1200V,IC=200A，
WGG75GB0170S
VCEO=1700V,IC=75A,
WGG200GB170S VCEO=1700V,IC=200A,
WGG400GB170S
VCEO=1700V,
IC=400A。
【技术特点】功率IGBT晶体管采用非穿通的结构，少子寿命长,随温度变化幅度很小,开关速度不依赖温度变化,在工作温度范围内保持相对稳定。采用了透明集电极发射区可抽取过剩载流子,从而适合1000V以上的高压大电流应用。下降时间短、无拖尾是非穿通型IGBT的主要特点,开关损耗小是其优点之一。非穿通型IGBT高温特性好,通态压降从小电流开始随工作温度升高而变大,构成正温度系数。非穿通型IGBT的结构决定了实现高压的可能性。NPT型IGBT在微细加工技术的基础上,吸收了MOSFET、BJT、GTO的结构特点,因此少数载流子寿命很长,实现了小的通态电压降,并由于透明集电极发射区可抽取过剩载流子,从而减小了开关损耗。非穿通型IGBT芯片厚度是传统IGBT芯片厚度的2/5,热量容易从芯片发热区传出;在无钳位感性开关(UIS)中可承受高的二次雪崩击穿电压。
【适用范围】太阳能并网发电、风能并网发电、开关电源、充电桩、汽车电子等。
【专利状态】实用新型专利2项。
【技术状态】小批量批量生产阶段。
【合作方式】
（1）
投资需求。寻求投资扩大产能，功率IGBT生产线产能达到8千片/月，资金需求1亿元，实施周期24个月；模块封装生产线产能达到50万支/月，资金需求0.7亿元，实施周期18个月。
（2）合作研发。与中小型电力电力传动及汽车电子等厂商及控股股东展开合作，共同开展复杂功率IGBT晶体管模块产品研制。
（3）技术服务。与各省市高新区、西部省区合作建设绿色能源示范工程（风电、太阳能、LED照明等）。
【预期效益】功率IGBT作为交直流转换、变频器、逆变器等电力变换装置的核心部件，伴随着新能源汽车和风力发电的大力推广，应用需求与日俱增。
以新能源汽车为例，中国现已是世界第一能源消费大国，能源以上升为国家战略安全问题，中国发展新能源汽车比任何国家更加紧迫，新能源汽车能大大降低我国对外能源依赖度的同时，有利于我国油价调控。为保持我国未来经济的快速可持续发展，同时响应国家规划中重点提及和大力扶持的新能源汽车政策，倡导低碳、节能、环保的精神。
截止2011年，全国机动车保有量达到2.25亿辆，汽车保有量达到1.06亿辆,位居世界第二(美国汽车保有量为2.85亿辆）。公交大巴约50万辆，出租车约120万辆。全面推广新能源汽车，可非常直接有效的降低尾气排放，改善空气质量，提升城市人民生活幸福指数。
本项目完成后，仅新能源汽车这一方面将使我公司的功率IGBT生产能力大大增强，形成年产新能源汽车用功率IGBT模块5万块的生产能力，实现年均销售收入1.5亿元。项目达产年平均新增净利润为1728万元，销售利润率为11.52%；成本费用利润率为13.48%，总投资利润率34.56%；税后静态投资回收期为4.74年(含建设期1年)。
上述数据表明：该项目经济效益好，能为企业增加较大的利润，投资回收期短，抗风险能力强，全面衡量结果认为：本项目经济效益好，项目可行。
【联系方式】刘文辉029-84508244
18991165860